华邦电子发布8GbDDR4DRAM产品：采用16nm制造工艺适配工业与嵌入式领域

12月5日消息，华邦电子正式宣布推出全新的8Gb DDR4 DRAM产品。这款产品运用了华邦自主研发的先进16nm制程技术，能够提供速度更快、功耗更低且更具成本优势的解决方案，可广泛应用于电视、服务器、网络通信设备、工业计算机以及嵌入式应用等多个领域的市场。

新一代DDR4产品借助16nm制程实现了性能上的关键突破。相较于前代技术，16nm制程拥有更小的晶粒尺寸、更高的晶圆产出率与更出色的能效，能让客户在保持封装尺寸不变的前提下，集成更大容量的DRAM。

制程优化不仅增强了信号完整性，还降低了漏电率，保障产品在3600Mbps的高速数据传输下稳定运行。

华邦8Gb DDR4 DRAM是业内首款支持3600Mbps传输速率的DDR4产品，它突破了现有DDR4标准的限制，可满足高速运算应用的数据处理需求。依托16nm技术实现的芯片面积缩减，这款产品能在相同封装内提供更大容量，从而助力进一步降低系统整体成本。

华邦电子具备从设计、16nm制程开发到制造的全流程自主能力，可为工业级客户及KGD（良品裸晶圆）用户提供可靠的供应链保障与专业售后服务。

华邦依托同一16纳米制程平台，同步推进CUBE、8Gb LPDDR4与16Gb DDR4这三款DRAM产品的开发工作，旨在进一步完善其新一代内存产品的布局。